湖北成立300亿集成电路产业投资基金

2015-08-07 03:22 | 来源:未知 | 作者:陈红霞;郝驰 | [基金] 字号变大| 字号变小


继国家集成电路大基金设立之后,地方性专项产业基金也纷纷加快设立。


  继国家集成电路大基金设立之后,地方性专项产业基金也纷纷加快设立。
 
  8月6日,21世纪经济报道记者从武汉东湖高新开发区获悉,湖北省成立了一只以湖北省、武汉市和东湖高新区三级财政资金为引导的集成电路产业基金,总规模不低于300亿元。而其投资重点则是集成电路芯片制造业,兼顾设计、封测等上下游产业链。
 
  与此同时,在湖北范围内规模最大的行业龙头企业武汉新芯集成电路制造有限公司(以下简称“武汉新芯”)方面也透露,公司自主研发的第二代背照式影像传感器已按计划推进,3D NAND技术研发中,第一个具有9层结构的存储测试芯片已通过存储器功能的电学验证。
 
  300亿基金促产业发展
 
  武汉高新区方面透露,湖北集成电路产业投资基金由武汉经济发展投资(集团)有限公司发起设立,湖北省科技投资集团公司等多家公司参与,除了三级政府财政资金引导外,该基金还吸引了社会资金参与。
 
  根据规划,该基金总规模不低于300亿元,计划打造高新技术的股权基金和金融服务平台,将通过设立子基金和专项金融服务平台,对接海内外资本市场。
 
  “除了湖北外,上海也早已成立了规模达到100亿元的产业投资基金,全国范围内,包括长三角、珠三角和中三角形成三足鼎立的局面。”一位行业分析师指出,其中,湖北起步虽然较晚,但增速很快,目前包括封测、生产和研发企业均有布局,产业链条比较完整,产业基金设立后,省内一些重点企业和重点项目将最先受益。
 
  而东湖高新区方面也透露,该基金将重点支持国家重点项目发展,目前,该基金已储备集成电路领域大型项目20余个,正积极和国家集成电路基金、国开金融等多家金融机构探讨实质性战略合作,未来将通过并购和海内外资本运作,快速推动产业发展。
 
  而在有望受益的当地企业中,作为“集成电路国家队”的武汉新芯最受关注。
 
  公开资料显示,武汉新芯于2006年4月注册成立,注册资本24.59亿元,属于武汉市东湖开发区政府旗下的全资子公司。在成立初期,其只是一家没有独立运营能力的生产型工厂。
 
  直到2012年,东湖开发区引入新管理团队,重新构建武汉新芯的架构。担任“重建”任务的是现任执行长杨士宁。
 
  “杨士宁到任时的武汉新芯,除具备生产能力外,在人力资源、财务、销售、研发等各个领域都是空白。”一位接近公司人士指出,尤其是在集成电路行业,诸多管控设备都依靠进口,根据国际条约,使用管控进口设备的企业必须保证设备用于民用而不做军用生产,所有的管控设备进口企业必须有专人负责与设备出口国的相关政府部门进行申报进口许可,履行许可条约,但即便是这一关键岗位,当时的武汉新芯也是空缺的。
 
  因此,新团队组建成为杨士宁当时着手的第一件事情,武汉新芯引进了国际知名的行业内的海归人员及部分外国专家,同时吸纳了一批中芯国际在武汉工作的骨干人员,搭建起武汉新芯最初的管理团队。
 
  加快技术追赶步伐
 
  不过,此时的中国集成电路产业仍远远落后于美国、韩国等国际巨头企业。“在当时的中国市场,已先后出现了多家集成电路企业,这些企业遍布在封测、生产及研发等领域,初步构成中国集成电路产业链条。”另一位不愿具名的行业分析师也指出。这些从业企业大都集中在封测环节,生产和研发企业少之又少,中国企业芯片生产企业在市场的份额也极低。
 
  中国企业如何实现突破?此前,在一场行业内部宣讲会上,杨士宁也曾总结,集成电路行业是一个高速发展的行业,其特点是人才、资金和技术密集。
 
  “集成电路行业的发展需要兼备所有上述特点,所以,中国从业企业即便在技术研发或其他领域加大投入,却总是追赶不上国际同行,甚至差距越拉越大。”上述分析师指出,即便在当下,国家已出台关于集成电路方面的政策,并通过设立产业基金的形式进行大手笔的资金扶持,但仅有这些并不意味着与国际集成电路产业水平的差距就能快速缩小。
 
  如何破局?武汉新芯的做法则是在一些同业鲜少涉足的领域进行突破。自2012年起,武汉新芯与国际合作伙伴合作开发背照式图像处理器,经过一年的研发期后达到量产,月出货量达到1万多片,目前总出货量已突破1亿颗。2014年,公司对这一技术进行升级,进行第二代技术的研发,上述人士透露,“新一代技术的研发进展顺利,而其成果将可被应用到物联网市场。”
 
  此外,2014年起,武汉新芯与Cypress(原美国Spansion公司)合作展开研发3D NAND,部分核心技术武汉新芯将拥有自主的知识产权。
 
  何为3D NAND?即下一代大容量半导体闪存技术,“就是利用现有成熟的生产设备,通过在硅片的表面垂直叠加几十层甚至更多层的电荷存储层,来提高单颗芯片的存储密度,增加存储容量。”上述分析师解释,国际上从事这一技术研究的企业仅有四家,其中真正实现量产的只有韩国三星公司。
 
  在这一技术方面,武汉新芯的第一个具有9层结构的存储测试芯片已通过存储器功能的电学验证。上述分析师指出,“目前三星公司的3D NAND产品已具有32层结构,其正在开发64层结构的产品。武汉新芯的3D NAND还没进入量产阶段,但对比其他同行,其技术研发进展已相对领先。”

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